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一、中國(guó)太陽(yáng)能單晶硅片市場(chǎng)分析

1、單晶硅片產(chǎn)能分析

單晶產(chǎn)品在終端電站市場(chǎng)接受度逐漸打開(kāi)后，各廠商競(jìng)相擴(kuò)充的PERC技術(shù)，全產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均加大了單晶產(chǎn)能的擴(kuò)張，甚至一些多晶硅片廠商也開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)單晶產(chǎn)能，比如保利協(xié)鑫1GW單晶硅片投產(chǎn)；隨著主流電池組件廠商如天合、阿特斯、晶科、晶澳、韓華等多晶電池線改為單晶電池線，這些動(dòng)作都將提升單晶的市場(chǎng)份額。截止2017年，國(guó)內(nèi)單晶產(chǎn)能已達(dá)到43GW，預(yù)計(jì)到2018年產(chǎn)能將達(dá)到73GW水平。

圖表1：2016－2018年單晶硅片產(chǎn)能情況（單位：GW）

資料來(lái)源：OFweek行業(yè)研究中心

2、單晶硅片價(jià)格走勢(shì)分析

據(jù)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截止2018年1月31日，單晶硅片成交均價(jià)為0.674$/pc，多晶硅片成交均價(jià)0.557$/pc二者價(jià)差已達(dá)0.117$/pc。據(jù)了解，0.1美元內(nèi)就促使終端系統(tǒng)業(yè)者考量性價(jià)比而選擇單晶；價(jià)差多于0.1美元，表示終端需求選擇多晶以爭(zhēng)取更多利潤(rùn)。0.1美元價(jià)差已然成了單、多晶間替換的“黃金交叉區(qū)”。11月份以來(lái)，受金剛線切多晶產(chǎn)能釋放、價(jià)格走低，而單晶硅片未有新的降本舉措，預(yù)期短期內(nèi)單多晶硅片價(jià)差還會(huì)持續(xù)拉大。

圖表2：2015年7月－2017年12月單晶硅片價(jià)格走勢(shì)（單位：$/pc）

資料來(lái)源：OFweek行業(yè)研究中心

3、單晶硅片優(yōu)缺點(diǎn)分析

◆單晶硅片優(yōu)點(diǎn)分析

（1）單晶硅片材料優(yōu)勢(shì)

單多晶的晶體生長(zhǎng)工藝不同，單晶硅的晶面取向相同、無(wú)晶界，品質(zhì)優(yōu)異，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁雜、位錯(cuò)密布，晶格缺陷增多，導(dǎo)致單晶硅片與多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面與單晶相比有顯著差異。因此，兩種材料的生產(chǎn)工藝與結(jié)構(gòu)決定了單晶具有以下優(yōu)勢(shì)：1） 單晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷；2） 單晶硅片比多晶硅片有更高的機(jī)械強(qiáng)度，更低的碎片率；3） 單晶硅電池比多晶硅電池的少子壽命和轉(zhuǎn)換效率更高，效率提升空間更大；4） 單晶硅組件更高的集約性，更適用于屋頂?shù)扔邢薨惭b面積的分布式小型電站；5） 單晶硅電站比多晶硅電站的實(shí)際發(fā)電量多5～6％以上，單晶硅電站長(zhǎng)期衰減比多晶硅低至少3％以上，單晶硅電站投資回報(bào)率（IRR）比多晶電站至少高2.78％。

（2）單晶切片成本下降空間大

單晶切片領(lǐng)域目前已普遍采用金剛線切片工藝，可以最大程度地發(fā)揮大切速、細(xì)線化、切薄片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，切割效率更高、硅損更低、出片率更高、硅片表面質(zhì)量更優(yōu)，從而使得金剛線單晶切片成本可以大幅度下降得更低。經(jīng)測(cè)算，單晶采用金剛線切割，按照單晶硅片厚度190um測(cè)算，金剛線直徑每下降10um，單片硅成本下降約0.15元、產(chǎn)能提升約4％；而按照金剛線母線線徑100um測(cè)算，硅片厚度每降低20um，單片含硅成本下降約0.25元、產(chǎn)能提升約7％。隨著未來(lái)金剛線母線線徑和硅片厚度下降，金剛線切割單晶硅片還有很大的成本下降空間。

◆單晶硅片缺點(diǎn)分析

單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中能源消耗大、制造工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高等問(wèn)題。