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　　1.4 表面和體鈍化技術(shù)

　　對(duì)于Mc—Si，因存在較高的晶界、點(diǎn)缺陷（空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物）對(duì)材料表面和體內(nèi)缺陷的鈍化尤為重要，除前面提到的吸雜技術(shù)外，鈍化工藝有多種方法，通過(guò)熱氧化使硅懸掛鍵飽和是一種比較常用的方法，可使Si-SiO2界面的復(fù)合速度大大下降，其鈍化效果取決于發(fā)射區(qū)的表面濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化效果更加明顯。采用PECVD淀積氮化硅近期正面十分有效，因?yàn)樵诔赡さ倪^(guò)程中具有加氫的效果。該工藝也可應(yīng)用于規(guī)�；�生產(chǎn)中。應(yīng)用Remote PECVD Si3N4可使表面復(fù)合速度小于20cm/s。

　　2. 工業(yè)化電池工藝

　　太陽(yáng)電池從研究室走向工廠，實(shí)驗(yàn)研究走向規(guī)模化生產(chǎn)是其發(fā)展的道路，所以能夠達(dá)到工業(yè)化生產(chǎn)的特征應(yīng)該是：

　�。�1］電池的制作工藝能夠滿(mǎn)足流水線(xiàn)作業(yè)；

　�。�2］能夠大規(guī)模、現(xiàn)代化生產(chǎn)；

　　［3］達(dá)到高效、低成本。

　　當(dāng)然，其主要目標(biāo)是降低太陽(yáng)電池的生產(chǎn)成本。目前多晶硅電池的主要發(fā)展方向朝著大面積、薄襯底。例如，市場(chǎng)上可見(jiàn)到125×125mm2、150×150mm2甚至更大規(guī)模的單片電池，厚度從原來(lái)的300微米減小到目前的250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。***京磁（Kyocera）公司150×150的電池小批量生產(chǎn)的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.1%，該公司1998年的生產(chǎn)量達(dá)到25.4MW。

　　（1）絲網(wǎng)印刷及其相關(guān)技術(shù)

　　多晶硅電池的規(guī)�；�生產(chǎn)中廣泛使用了絲網(wǎng)印刷工藝，該工藝可用于擴(kuò)散源的印刷、正面金屬電極、背接觸電極，減反射膜層等，隨著絲網(wǎng)材料的改善和工藝水平的提高，絲網(wǎng)印刷工藝在太陽(yáng)電池的生產(chǎn)中將會(huì)得到更加普遍的應(yīng)用。

　　a.發(fā)射區(qū)的形成

　　利用絲網(wǎng)印刷形成PN結(jié)，代替常規(guī)的管式爐擴(kuò)散工藝。一般在多晶硅的正面印刷含磷的漿料、在反面印刷含鋁的金屬漿料。印刷完成后，擴(kuò)散可在網(wǎng)帶爐中完成（通常溫度在900度），這樣，印刷、烘干、擴(kuò)散可形成連續(xù)性生產(chǎn)。絲網(wǎng)印刷擴(kuò)散技術(shù)所形成的發(fā)射區(qū)通常表面濃度比較高，則表面光生載流子復(fù)合較大，為了克服這一缺點(diǎn)，工藝上采用了下面的選擇發(fā)射區(qū)工藝技術(shù)，使電池的轉(zhuǎn)換效率得到進(jìn)一步的提高。