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　　通常，應(yīng)用正膠剝離工藝，蒸鍍Ti/Pa/Ag多層金屬電極，要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻，往往需要金屬層比較厚（8～10微米）。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅表面/鈍化層介面損傷，使表面復(fù)合提高，因此，工藝中，采用短時(shí)蒸發(fā)Ti/Pa層，在蒸發(fā)銀層的工藝。另一個(gè)問題是金屬與硅接觸面較大時(shí)，必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度提高。工藝中，采用了隧道結(jié)接觸的方法，在硅和金屬成間形成一個(gè)較薄的氧化層（一般厚度為20微米左右）應(yīng)用功函數(shù)較低的金屬（如鈦等）可在硅表面感應(yīng)一個(gè)穩(wěn)定的電子積累層（也可引入固定正電荷加深反型）。另外一種方法是在鈍化層上開出小窗口（小于2微米），再淀積較寬的金屬柵線（通常為10微米），形成mushroom—like狀電極，用該方法在4cm2 Mc-Si上電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.3％。目前，在機(jī)械刻槽表面也運(yùn)用了Shallow angle （oblique）技術(shù)。

　　1.3 PN結(jié)的形成技術(shù)

　　［1］發(fā)射區(qū)形成和磷吸雜

　　對于高效太陽能電池，發(fā)射區(qū)的形成一般采用選擇擴(kuò)散，在金屬電極下方形成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間實(shí)現(xiàn)淺濃度擴(kuò)散，發(fā)射區(qū)的淺濃度擴(kuò)散即增強(qiáng)了電池對藍(lán)光的響應(yīng)，又使硅表面易于鈍化。擴(kuò)散的方法有兩步擴(kuò)散工藝、擴(kuò)散加腐蝕工藝和掩埋擴(kuò)散工藝。目前采用選擇擴(kuò)散，15×15cm2電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到16.4%，n++、n+區(qū)域的表面方塊電阻分別為20Ω和80Ω。

　　對于Mc—Si材料，擴(kuò)磷吸雜對電池的影響得到廣泛的研究，較長時(shí)間的磷吸雜過程（一般3～4小時(shí)），可使一些Mc—Si的少子擴(kuò)散長度提高兩個(gè)數(shù)量級。在對襯底濃度對吸雜效應(yīng)的研究中發(fā)現(xiàn)，即便對高濃度的襯第材料，經(jīng)吸雜也能夠獲得較大的少子擴(kuò)散長度（大于200微米），電池的開路電壓大于638mv， 轉(zhuǎn)換效率超過17％。

　　［2］背表面場的形成及鋁吸雜技術(shù)

　　在Mc—Si電池中，背p+p結(jié)由均勻擴(kuò)散鋁或硼形成，硼源一般為BN、BBr、APCVD SiO2：B2O8等，鋁擴(kuò)散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁，800度下燒結(jié)所完成，對鋁吸雜的作用也開展了大量的研究，與磷擴(kuò)散吸雜不同，鋁吸雜在相對較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺陷也參與了雜質(zhì)的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中，對Mc—Si產(chǎn)生不利的影響。到目前為至，區(qū)域背場已應(yīng)用于單晶硅電池工藝中，但在多晶硅中，還是應(yīng)用全鋁背表面場結(jié)構(gòu)。

　　［3］雙面Mc—Si電池

　　Mc—Si雙面電池其正面為常規(guī)結(jié)構(gòu)，背面為N＋和P＋相互交叉的結(jié)構(gòu)，這樣，正面光照產(chǎn)生的但位于背面附近的光生少子可由背電極有效吸收。背電極作為對正面電極的有效補(bǔ)充，也作為一個(gè)獨(dú)立的栽流子收集器對背面光照和散射光產(chǎn)生作用，據(jù)報(bào)道，在AM1.5條件下，轉(zhuǎn)換效率超過19％。