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【年末盤(pán)點(diǎn)】2016年太陽(yáng)能光伏行業(yè)十大前沿技術(shù)

No.3 Alta Devices雙結(jié)太陽(yáng)能電池效率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)31.6%

Alta Devices宣布其砷化鎵太陽(yáng)能光伏刷新世界紀(jì)錄,該公司生產(chǎn)出效率高達(dá)31.6%的雙結(jié)電池,此項(xiàng)最新技術(shù)獲得美國(guó)能源部國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)認(rèn)證。

2013年Alta單結(jié)太陽(yáng)能電池效率紀(jì)錄達(dá)30.8%,此后不久,該紀(jì)錄被NREL趕超,然而Alta重新再次刷新世界紀(jì)錄。

Alta Devices通過(guò)多項(xiàng)突破性技術(shù)來(lái)使用砷化鎵制造太陽(yáng)能電池片,在單結(jié)太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了世界最高能效。此次,阿爾塔推出的全新雙結(jié)技術(shù)建于之前的單結(jié)技術(shù)基礎(chǔ)之上,使用了磷化銦鎵作為基底之上的第二個(gè)吸收層。相比單結(jié)設(shè)備,磷化銦鎵利用高能光子的效率更高,所以在等量太陽(yáng)光下,新的雙結(jié)技術(shù)產(chǎn)生的電量更多。該公司的太陽(yáng)能效率已經(jīng)獲得能源部的國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)測(cè)量和認(rèn)證。

Alta現(xiàn)在保持單結(jié)雙結(jié)砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)世界紀(jì)錄。但是還面臨將此實(shí)驗(yàn)室研究技術(shù)創(chuàng)新投入到批量生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。

編輯點(diǎn)評(píng):2015年,中國(guó)的漢能薄膜將美國(guó)Alta Devices公司收為旗下,當(dāng)時(shí)Alta Devices掌握的砷化鎵(GaAs)柔性薄膜電池技術(shù)是世界最領(lǐng)先的薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù),其雙結(jié)電池片的發(fā)電效率已達(dá)30.8%。而經(jīng)過(guò)一年的技術(shù)資源整合,Alta Devices的電池技術(shù)再次爆發(fā),將雙結(jié)電池片的發(fā)電效率提高到31.6%。而更讓人興奮的是,Alta Devices的單結(jié)砷化鎵薄膜太陽(yáng)能電池已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)?梢灶A(yù)見(jiàn)的是,隨著技術(shù)的進(jìn)步及成本的降低,薄膜光伏將逐步崛起。

NO.4 多接合硅晶太陽(yáng)能電池效率突破30%!

德國(guó)Fraunhofer太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所(ISE)與奧地利公司EV Group(EVG)合作,成功以硅晶太陽(yáng)能電池為基礎(chǔ),加上擁有兩個(gè)電極的多接合太陽(yáng)能電池技術(shù),讓太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率一舉沖高到30.2%。

具體來(lái)說(shuō),F(xiàn)raunhofer ISE和EVG的研究員透過(guò)直接外延片接合(direct wafer bounding)工藝將微米級(jí)的三五族半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)換為硅材;經(jīng)電漿活化后,外延片表面的次電池(subcell)將呈現(xiàn)真空狀接合,使三五族次電池表面的原子與硅原子緊密接合,形成以硅材為基礎(chǔ)的次電池。

而透過(guò)堆疊磷化銦鎵(GaInP)、砷化鎵(GaAs)、硅(Si)等三種次電池所構(gòu)成的多接合電池,能吸收更廣光譜的太陽(yáng)光,轉(zhuǎn)換效率也能大幅提升。Fraunhofer ISE和EVG成功使4平方公分面積的三五族半導(dǎo)體/硅材多接合電池之轉(zhuǎn)換效率提高到30.2%,突破了硅晶太陽(yáng)能電池的理論效率天花板29.4%,并由Fraunhofer實(shí)驗(yàn)室檢證完成。

編輯點(diǎn)評(píng):在目前已大規(guī)模商業(yè)化的硅晶太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率很難超過(guò)23%的情況下。該項(xiàng)技術(shù)突破了硅晶太陽(yáng)能電池的理論效率值,讓業(yè)內(nèi)人士對(duì)未來(lái)的高效太陽(yáng)能光伏電池生出無(wú)限憧憬。目前,雖然這類(lèi)三五族半導(dǎo)體/硅材多接合電池的成本仍然高昂,但是三五族半導(dǎo)體磊晶工程和接合技術(shù)等都有成本降低空間。所以,這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)仍然有很大的提升空間,屆時(shí),突破效率天花板的高效硅晶太陽(yáng)能電池將會(huì)有量產(chǎn)的那一天。

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