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中國晶體硅生產設備大盤點：誰將“傲視群雄”？

2011-10-25 10:36

　　2011年國內多晶硅鑄錠爐新增需求增幅回落到40%左右的水平，而國內規(guī)�；瘡S商迅速開始了進口替代過程，實際增長率依然超過200%甚至更多。2010年國內硅片廠商新增產能達到12GW左右，而2011年則超過16GW。我們估測2011、2012年國內多晶硅鑄錠爐新增需求在1958臺、2513臺左右。但2012年以后，大規(guī)模的進口化替代告一段落，需求增長也將回歸到30%左右的行業(yè)正常速度。多晶硅鑄錠爐單次投料量大，產出高，生產耗電是單晶硅生長爐的10%~12%，而多晶硅電池片轉換效率僅比單晶硅電池片低1-2個百分點，其低成本優(yōu)勢符合光伏應用普及化的趨勢，在全球太陽能電池中的應用比例不斷擴大。隨著我國硅片生產企業(yè)規(guī)模的擴大，對多晶硅鑄錠爐的需求也逐漸增長。

　多晶硅鑄錠爐的關鍵技術一直由美國、歐洲公司壟斷，國外長期以來對我國實行技術上的嚴密封鎖，我國多年來一直處于受制于人的局面。美國GT Solar公司的多晶硅鑄錠爐占據了我國絕大部分市場。從1994年最初研制的熱交換法（HEM）鑄錠爐到近年推出的DSS450HP晶爐，GT Solar的鑄錠爐技術已經歷了5次重大創(chuàng)新。這些重大創(chuàng)新主要體現在機械設計、真空與高壓室、控制系統(tǒng)設計、晶體生長模型等方面的技術創(chuàng)新。首先，定向凝固的方法，從最初的熱交換法更新到熱交換法與布里曼法（強制冷卻和將坩堝移離熱源）相結合的方法，使得鑄錠效率增加；第二，投料量逐步增大，從240kg到450kg；第三，鑄錠工藝上的更新，如運行周期從大約60h縮短到50h；第四，熱場的改進，使得多晶鑄錠的能耗進一步降低。我國晶體長生爐設備還有很多不足之處，與國際先進水平尚有一些差距。晶體生長爐還將不斷向大直徑、高質量、產業(yè)化方向發(fā)展。