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　　2012年03月21日位于加州圣何塞的工程基片工藝和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商和束流誘導(dǎo)太陽(yáng)能電池晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)Silicon Genesis宣布，該公司已經(jīng)最終確定了用于制造薄膜太陽(yáng)能電池硅晶圓的第二代生產(chǎn)系統(tǒng)的規(guī)格。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)成功是6年多以來(lái)開(kāi)發(fā)、原型測(cè)試并與太陽(yáng)能電池合作伙伴一起采用眾多設(shè)備對(duì)太陽(yáng)能電池材料進(jìn)行評(píng)估的成果。新GenII PolyMax™系統(tǒng)的推出得益于SiGen之前獲取的眾多業(yè)界首創(chuàng)成就，包括率先制造出獨(dú)立式的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)方形無(wú)切損單晶硅太陽(yáng)能電池晶圓。這些成就為光伏業(yè)帶來(lái)了首創(chuàng)的真正無(wú)切損單晶硅晶圓制造技術(shù)。

　　PolyMax高產(chǎn)量制造系統(tǒng)的推出將推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)在使用更低成本的零浪費(fèi)晶圓解決方案來(lái)代替線鋸工藝方面再前進(jìn)一步。PolyMax系統(tǒng)的一大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于該系統(tǒng)能夠生產(chǎn)出比線鋸技術(shù)所能達(dá)到的更薄晶圓，從而使該行業(yè)能生產(chǎn)出擁有更高光電轉(zhuǎn)換率和更低成本的太陽(yáng)能電池。

　　Silicon Genesis總裁兼首席執(zhí)行官Francois Henley表示：“我們相信，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)所面臨的嚴(yán)峻價(jià)格壓力將進(jìn)一步推動(dòng)質(zhì)子束誘導(dǎo)晶圓制造工藝的推廣。我們?cè)��?008年P(guān)VSEC大會(huì)上使用一部200萬(wàn)伏高能質(zhì)子植入機(jī)原型制造出50 um厚的晶圓，首次推出我們的束流誘導(dǎo)切削技術(shù)。我們相信，使用我們的技術(shù)將大幅削減制造高性能太陽(yáng)能電池的成本，讓光伏產(chǎn)業(yè)能夠早于預(yù)期數(shù)年在無(wú)補(bǔ)貼的情況下實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)平價(jià)。這些薄和超薄太陽(yáng)能晶圓擁有良好的性能，而且已經(jīng)經(jīng)過(guò)了我們合作伙伴和獨(dú)立第三方實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試�！�

高能質(zhì)子植入機(jī)原型（達(dá)150 um）

　　在被問(wèn)及有關(guān)其他薄膜硅技術(shù)提供商最近發(fā)布的新聞稿的問(wèn)題時(shí)，Henley表示：“最新發(fā)布的這些新聞進(jìn)一步確認(rèn)了市場(chǎng)需要能幫助降低高效硅吸光體制造成本的新方法和新工藝。我們?cè)��?006年在美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室對(duì)Ampulse熱絲化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)和SiGen層轉(zhuǎn)移單晶硅薄膜一起進(jìn)行了評(píng)估。我轉(zhuǎn)而選擇了我們的直接高能束流誘導(dǎo)切削方法。這一方面能幫助公司使用他們新型的紋理支撐技術(shù)來(lái)制造高品質(zhì)薄膜。就在我們的此次新技術(shù)公布前不久，Twin Creeks Technologies宣布推出與我們束流誘導(dǎo)晶圓制造工藝類似的工藝，不過(guò)據(jù)報(bào)道他們的工藝僅限于生產(chǎn)接合式（非獨(dú)立式）20um薄膜。作為束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)，而且假定對(duì)方?jīng)]有使用我們100多項(xiàng)美國(guó)專利組合中任一種專利（我們正在監(jiān)督），SiGen很高興看到另一家公司認(rèn)識(shí)到薄晶體硅在幫助大幅降低太陽(yáng)能電池成本上的重要性。事實(shí)是Twin Creeks Technologies在評(píng)估了SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓商業(yè)計(jì)劃和技術(shù)（包括我們的200萬(wàn)電子伏特植入機(jī)原型）之后不久就獲得一家風(fēng)投公司的資助，這一點(diǎn)值得關(guān)切�！�

20um硅晶圓

　　SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)將不僅僅服務(wù)于太陽(yáng)能市場(chǎng)。該核心技術(shù)還有能力為HB-LED以及利用硅、砷化鎵、鍺、碳化硅、氮化鎵和藍(lán)寶石的封裝/3D結(jié)構(gòu)領(lǐng)域新出現(xiàn)的業(yè)界要求提供高品質(zhì)的薄膜材料。該技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是在保證高性能材料在要求嚴(yán)苛的最終應(yīng)用領(lǐng)域有效性的同時(shí)將高性能材料的成本降至最低。

　　關(guān)于SiGen

　　Silicon Genesis Corporation （SiGen） 是向半導(dǎo)體、顯示器、光電子器件和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供工程基片工藝技術(shù)的一家領(lǐng)先提供商。SiGen的技術(shù)用于生產(chǎn)“絕緣硅”（SOI） 半導(dǎo)體晶片，以用于高性能應(yīng)用。SiGen通過(guò)薄膜工程來(lái)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新性的基片，為其客戶開(kāi)辟新的應(yīng)用和市場(chǎng)。在SiGen的客戶和合作伙伴中，不乏世界各地的頂尖基片和設(shè)備供應(yīng)商。SiGen成立于1997年，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣何塞市。