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MOSFET已經(jīng)成為非常重要的功率分類(lèi)器件，在功率分類(lèi)器件市場(chǎng)中的市場(chǎng)份額超過(guò)50％。

MOSFET全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MMOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被應(yīng)用于新能源汽車(chē)、5G基站、工業(yè)照明電源、光伏逆變器、智能機(jī)器人、電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)等工業(yè)領(lǐng)域以及電源、充電器等消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。

近年來(lái)，在中國(guó)市場(chǎng)，隨著新能源汽車(chē)、5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛等產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通訊基站及車(chē)規(guī)級(jí)等市場(chǎng)對(duì)于高性能功率器件的需求不斷增加，MOSFET的市場(chǎng)需求快速增加。MOSFET已經(jīng)成為非常重要的功率分類(lèi)器件，在功率分類(lèi)器件市場(chǎng)中的市場(chǎng)份額超過(guò)50％。

但是受中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展起步較晚、技術(shù)積累不足等的影響，目前中國(guó)MOSFET功率器件行業(yè)與美國(guó)、日韓以及臺(tái)灣地區(qū)相比還有較大的差距，表現(xiàn)在生產(chǎn)能力弱、產(chǎn)品質(zhì)量不高、企業(yè)品牌影響力弱等方面，尤其是特別是超級(jí)結(jié)MOSFET，由于技術(shù)復(fù)雜，國(guó)產(chǎn)率還較低，對(duì)外依賴(lài)嚴(yán)重。

根據(jù)新思界發(fā)布的《2021－2026年MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告》，2020年，中國(guó)MOSFET市場(chǎng)依然被國(guó)外企業(yè)Infineon（英飛凌）、ON Semiconductor（安森美）、Toshiba（東芝）、ST Microelectronics（意法半導(dǎo)體）等所占據(jù)，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)份額不足20％。

這種過(guò)度對(duì)外依賴(lài)的局面對(duì)中國(guó)MOSFET相關(guān)下游應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了不利影響，尤其是在貿(mào)易摩擦等宏觀環(huán)境不確定性增加的背景下，因此加速進(jìn)口替代，實(shí)現(xiàn)MOSFET產(chǎn)業(yè)自主可控迫在眉睫。中國(guó)政府對(duì)MOSFET等半導(dǎo)體產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化也給予了高度重視，近年來(lái)頒布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《中國(guó)制造2025》、《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》等一系列重要文件。

2020年7月，國(guó)務(wù)院出臺(tái)的《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》（國(guó)發(fā)［2020］8 號(hào)），從財(cái)稅、投融資、研發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等方面提出 37條具體政策措施，進(jìn)一步加大力度支持集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在政策的支持下，我國(guó)MOSFET行業(yè)將迎來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。

新思界產(chǎn)業(yè)分析師表示，中國(guó)MOSFET進(jìn)口替代空間廣闊，現(xiàn)階段生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)該做好內(nèi)功修煉，從容迎接發(fā)展機(jī)遇。