影響非晶硅電池轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性的主要因素
由于非晶硅結(jié)構(gòu)是一種無(wú)規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),具有長(zhǎng)程無(wú)序性,所以對(duì)載流子有極強(qiáng)的散射作用,導(dǎo)致載流子不能被有效地收集。為了提高非晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,一般不采取單晶硅太陽(yáng)能電池的p-n結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)檩p摻雜的非晶硅費(fèi)米能級(jí)移動(dòng)較小,如果兩邊都采取輕摻雜或一邊是輕摻雜另一邊用重?fù)诫s材料,則能帶彎曲較小,電池開路電壓受到限制;如果直接用重?fù)诫s的p+和n+ 材料形成p+ -n+ 結(jié),由于重?fù)诫s非晶硅材料中缺陷態(tài)密度較高,少子壽命低,電池性能會(huì)很差。因此,通常在兩個(gè)重?fù)诫s層中淀積一層未摻雜非晶硅層(i層)作為有源集電區(qū),即p-i-n結(jié)構(gòu)。
非晶硅太陽(yáng)能電池光生載流子主要產(chǎn)生于未摻雜的i層,與晶態(tài)硅太陽(yáng)能電池載流子主要由于擴(kuò)散而移動(dòng)不同,在非晶硅太陽(yáng)能電池中,光生載流子由于擴(kuò)散長(zhǎng)度小主要依靠電池內(nèi)電場(chǎng)作用做漂移運(yùn)動(dòng)。當(dāng)非晶硅電池采取pin結(jié)構(gòu)以后,電池在光照下就可以工作了,但因存在光致衰退效應(yīng),電池性能不穩(wěn)定,電池轉(zhuǎn)換效率隨光照時(shí)間逐漸衰退,所以電池的結(jié)構(gòu)與工藝還要進(jìn)一步優(yōu)化。
非晶硅電池性能影響因素
影響非晶硅電池轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性的主要因素有:透明導(dǎo)電膜、窗口層性質(zhì)(包括窗口層光學(xué)帶隙寬度、窗口層導(dǎo)電率及摻雜濃度、窗口層激活能、窗口層的光透過(guò)率)、各層之間界面狀態(tài)(界面缺陷態(tài)密度)及能隙匹配、各層厚度(尤其i層厚度)以及太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)等。非晶硅薄膜電池的結(jié)構(gòu)一般采取疊層式或進(jìn)行集成或構(gòu)造異質(zhì)結(jié)等形式。
非晶硅電池生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單且溫度低、耗能小,其市場(chǎng)份額逐年提高。目前,一半以上薄膜太陽(yáng)能電池公司采用非晶硅薄膜技術(shù),預(yù)計(jì)幾年內(nèi),非晶硅薄膜在未來(lái)薄膜太陽(yáng)能電池中將占據(jù)主要份額。但光電轉(zhuǎn)換效率低和光致衰退效應(yīng)是當(dāng)前非晶硅薄膜電池存在的兩大主要問(wèn)題,為提高效率和穩(wěn)定性人們?cè)谛缕骷Y(jié)構(gòu)、新材料、新工藝和新技術(shù)等方面需要加強(qiáng)探索。
如在電池結(jié)構(gòu)方面采取疊層式和集成式;在透明導(dǎo)電膜反方面采用不僅具有電阻率低而且具有阻擋離子污染、增大入射光吸收和抗輻射效果的透明導(dǎo)電薄膜代替目前的ITO、ZnO、ZnO#Al等導(dǎo)電膜;在窗口層材料方面探索新型的寬光學(xué)帶隙和低電阻材料的窗口層材料,如非晶硅碳、非晶硅氧、微晶硅、微晶硅碳等;在非晶硅薄膜制備技術(shù)方面可以改進(jìn)RF-PECVD、超高真空PECVD技術(shù)、甚高頻(VHF)PECVD技術(shù)和微波PECVD等技術(shù),延長(zhǎng)薄膜光子壽命、提高載流子輸運(yùn)能力和薄膜的電子性能以及穩(wěn)定性等;在界面處理方面可以采取如氫鈍化技術(shù)以及插入緩沖層減少界面復(fù)合損失,提高電池短路電流和開路電壓。
盡管目前效率低性能不穩(wěn)定是阻礙非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的主要障礙,然而優(yōu)化非晶硅薄膜電池的各種技術(shù)都還是切實(shí)可行的,隨著科技的進(jìn)一步發(fā)展,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池將會(huì)得到大規(guī);瘧(yīng)用。
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