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1月9日下午，由亞洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)、保利協(xié)鑫能源控股有限公司聯(lián)合主辦的第四屆光伏產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新合作高峰論壇在蘇州舉行。阿特斯陽光電力集團(tuán)有限公司技術(shù)集成部高級(jí)總監(jiān)王栩生博士應(yīng)邀在會(huì)上作《高效多晶技術(shù)與戰(zhàn)略》主旨報(bào)告。

王栩生博士主要觀點(diǎn)認(rèn)為：

·從砂漿切片到金剛線切片，單刀切割時(shí)間7—9小時(shí)降到1—2小時(shí)，切片成本有7毛錢左右的下降。

·因?yàn)閷?dǎo)入單面制絨，2018年，阿特斯黑硅產(chǎn)能從4.5GW到7.2GW，增長幅度很大。有20個(gè)主流的廠家和阿特斯一起做黑硅，全國近200條黑硅線，這對(duì)整個(gè)行業(yè)是有益的。

·黑硅有效控制了J02這一參數(shù)，弱光效應(yīng)更好。全天的發(fā)電時(shí)段中，清晨和傍晚，黑硅發(fā)電更好一些。

·在多晶黑硅的基礎(chǔ)上疊加了PERC，是一個(gè)1+1大于2的組合。在組件工藝上面，約有15瓦左右的提升。

·單晶LeTID如果控制不好的話，比多晶更嚴(yán)重。

·鑄錠單晶效率將達(dá)到22%。

·金剛線切割、黑硅、PERC、雙面組件等技術(shù)是降本增效、促進(jìn)平價(jià)上網(wǎng)的有力武器。

感謝主辦方的邀請(qǐng)，我代表阿特斯做高效多晶技術(shù)與戰(zhàn)略方面的報(bào)告。

內(nèi)容三部分，第一個(gè)是公司簡(jiǎn)介。

 然后講講多晶P3—P4—P5的技術(shù)發(fā)展路線。

講阿特斯的P3之前，還是講一下金剛線切片和砂漿切片的區(qū)別，2016—2017年，從砂漿切片到金剛線切片，帶來的好處顯而易見，單刀切割時(shí)間7—9小時(shí)降到1—2小時(shí)，硅的Kerfloss從48%到33%，COD大幅度下降，切片成本有7毛錢左右的下降。

但是金剛線切片并未應(yīng)用起來，主要是電池端缺乏制絨的技術(shù)，阿特斯剛好內(nèi)部從2012年開始量產(chǎn)一個(gè)濕法黑硅，這兩者剛好可以完美匹配起來，可以看到阿特斯的切片2016—2017年有較大的發(fā)展，從原先大概只有幾百個(gè)兆瓦到2017年4個(gè)吉瓦，到2018年拓展到5個(gè)吉瓦，所以金剛線切片硅片和高效率電池是捆綁在一起的。

阿特斯的黑硅是2009年在內(nèi)部做研發(fā)項(xiàng)目啟動(dòng)，2012年在實(shí)驗(yàn)室有一定規(guī)模的摸索研究，2013年中試線試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，2015年拿到了中國原創(chuàng)技術(shù)獎(jiǎng)，2017年達(dá)到吉瓦水平。

前年，阿特斯所有的電池產(chǎn)能都轉(zhuǎn)化為黑硅的產(chǎn)能，這是從量產(chǎn)一開始，電池效率爬坡的過程圖，現(xiàn)在好的線做到19.35%多晶電池效率。產(chǎn)能也是有了發(fā)展，2018年黑硅產(chǎn)能從4.5GW到7.2GW，這是因?yàn)閷?dǎo)入單面制絨，產(chǎn)能增長。電池產(chǎn)能沒有這么大，實(shí)際上制絨產(chǎn)能是有富余的。

阿特斯以后，有很多的廠家來做黑硅技術(shù)，這是好的事情，對(duì)整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)是有益的。初步統(tǒng)計(jì)了一下，有20個(gè)主流的廠家跟隨阿特斯做黑硅，阿特斯的黑硅是依托于我們自己合作的廠家深度定制了設(shè)備，現(xiàn)在市面上有9個(gè)廠家可以提供類似于黑硅的設(shè)備，生產(chǎn)線194條，這一數(shù)據(jù)可能不完全準(zhǔn)確，因?yàn)檫@是幾個(gè)月前統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)。

黑硅上面實(shí)際上又有了單面制絨的技術(shù)，這是2017年底所做的，2018年全面推廣。單面制絨有效降低了化學(xué)品的消耗，還有純水的消耗，這對(duì)工藝的推廣是非常有益的。

游達(dá)博士剛才引進(jìn)了這樣一個(gè)數(shù)據(jù)，就是多晶P3在戶外發(fā)電的實(shí)際情況。在實(shí)際的戶外發(fā)電中，黑硅還是有1%—1.5%的發(fā)電優(yōu)勢(shì)。我們將這個(gè)歸功于在電池端有一個(gè)參數(shù)叫J02，黑硅有效控制了J02這一參數(shù)，J02越小，電池的弱光效應(yīng)越好，到組件端也有更好的弱光。全天的發(fā)電中，清晨和傍晚，黑硅發(fā)電更好一些。黑硅優(yōu)先腐蝕了缺陷處，把一些雜質(zhì)蓋掉，就把J02改善了，這是黑硅發(fā)電的優(yōu)勢(shì)所在。

過去阿特斯也提出過，黑硅不應(yīng)該都用于多晶上面，也可以在單晶和鑄錠單晶，拓展到多晶上面，鑄錠單晶就能拿下來，最后把黑硅做成一個(gè)通用的技術(shù)。提出來并不容易做到，阿特斯做了一些探索性的工作，后面會(huì)介紹一下。

在P3以后，阿特斯又做了P4，這個(gè)就是在多晶黑硅的基礎(chǔ)上疊加了PERC，我們認(rèn)為這是一個(gè)1+1大于2的組合，實(shí)際上我們量產(chǎn)效率做到20.4%—20.5%。在組件工藝上面，大概也有15瓦左右的提升，這也是相比較而言。