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這里的問題我們怎樣解決，剛才王博士說我們的三類片一般是通過濕法黑硅完美解決。主要大批量的A類片是通過堿制絨這塊，我們與王博士也有共同的觀點(diǎn)。

同時(shí)EL，如果我們這樣一個(gè)平均效率達(dá)到一個(gè)比較理想的水平，那么我們可以發(fā)現(xiàn)這樣由低效率造成的電池EL的現(xiàn)象，基本上可以消除，前期我們可以看到20.9%、21.1%在EL端現(xiàn)象是比較嚴(yán)重的。

通過第一階段150萬片硅片的電池生產(chǎn)以及主要問題的發(fā)現(xiàn)，第二階段又投入了大概300多萬片電池的生產(chǎn)。通過這樣一個(gè)電池、硅片的改善以及電池工藝的完善，那么第二批300多萬片的電池平均效率達(dá)到了21.66%，接近21.7%的水平，當(dāng)然這里有一個(gè)小圓圈是返工片的生產(chǎn)，可以忽略不計(jì)。

在300多萬片的提質(zhì)過程中，結(jié)合硅片的風(fēng)險(xiǎn)的改善，我們的效率提升又達(dá)到了新的高度，就是游達(dá)博士提到的，平均效率到了21.8%左右的平均效率。

隨著自動(dòng)化生產(chǎn)的加強(qiáng)，尾部低效的分布就大量地減少，大量高效的分布21.8%、21.9%這樣一個(gè)比例超過了50%，結(jié)合22%以上的，大概基本上是70%以上的比例。那么鑫單晶如果要跟直拉單晶PK或者是同臺(tái)競爭，目前21.8%的效率是遠(yuǎn)不夠的。

那么我們就說除了這樣一個(gè)效率方面的改善，我們良率，500萬片的生產(chǎn)大家可以看到，良率目前是可以達(dá)到95%的這樣一個(gè)水平，當(dāng)然這個(gè)良率還有比較大的提升空間，到96%、97%都是必須的。

然后我們再看看這個(gè)組件，鑫單晶組件的這塊，我們先選取了三個(gè)檔位的組件，21.5%、21.6%、21.7%，主檔位三個(gè)，我們看看它的檔位分布的話，基本上主檔位370瓦，365瓦也算一個(gè)小的檔位。隨著后續(xù)效率的提升，我們剛才說平均效率來到了21.8%，那么21.8%的平均效率，目前的組件CTM是不到96%，是偏低的，后續(xù)也有大的提升空間，現(xiàn)在的條件來估算，以全檔位來分布的話，基本上370瓦和375瓦的比例會(huì)基本上占到70%左右。

效率根據(jù)研發(fā)的成果和單晶PERC的實(shí)際發(fā)展情況，提出2019年底鑫單晶到22.2%這樣一個(gè)平均量產(chǎn)效率，從目前的21.8到21.9%，然后再有零點(diǎn)幾的提升，這第一步我們目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)檫@是最新的提效結(jié)果。

目前鑫單晶電池平均效率達(dá)到了21.95%，已經(jīng)是接近22%的量產(chǎn)平均效率。所以說，到2019年底鑫單晶的平均量產(chǎn)效率超過22%，或者是跟直拉單晶的平均量產(chǎn)效率差保持在0.2%和0.3%是很有希望達(dá)到的。

除了這樣一些效率和功率的這樣一些進(jìn)展以外，這時(shí)候無論是單晶、鑫單晶還是多晶，它的光衰，是我們都不能忽略的一個(gè)問題。我們自己在控制光衰這塊目前取得的一些進(jìn)展。

大家可以看到就是說三根曲線的對比，就是說紅線、黑線是用了所謂的抗光衰工藝，而綠色是沒有應(yīng)用抗光衰工藝的結(jié)果，光衰條件是在75度，大約1000小時(shí)，這下面的橫坐標(biāo)是1200小時(shí)這樣的一個(gè)結(jié)果。實(shí)際溫度是超過了80度。所以說無論是摻B和摻Ga的，基本上是控制在2%以內(nèi)，沒有用抗光衰工藝的衰減幅度大，目前鑫單晶PERC是沿用多晶抗光衰工藝，當(dāng)然多晶抗光衰工藝是否符合這樣一個(gè)產(chǎn)品特性，后續(xù)我們會(huì)做優(yōu)化。相信多晶優(yōu)化的結(jié)果在鑫單晶上更優(yōu)化，效果比多晶更好。

這是我們在Fraunhofer上的組件，分兩步測了LID和LeTID。先把我們的組件做了LID的測試。

然后再把組件做了LeTID的測試。

這是Fraunhofer的測試條件，這個(gè)比較嚴(yán)苛，LID用了85度，Le TID用了50度或60度的。LID的組件效果是好的，基本上只有2%—4%的衰減。然后LeTID，85度我們的光衰依然是1.5%左右的衰減。從光衰這塊的結(jié)果，無論是自己測的長時(shí)間的超過一千小時(shí)的結(jié)果，還是Fraunhofer這樣的檢測結(jié)果，都是完全滿足產(chǎn)品的競爭，同時(shí)跟單晶的PK中也毫不落下風(fēng)。所以說這樣的一個(gè)光衰工藝?yán)�用到鑫單晶的PERC電池上，相信也會(huì)有滿意的結(jié)果。

當(dāng)然，我們剛才前面也說了，目前的抗光衰工藝也不否認(rèn)，應(yīng)用在單晶和鑫單晶上面都有少許的損失，應(yīng)用到多晶上面，是0.2%少許的損失，用在鑫單晶上0.15%的效率損失。相信后面我們效率的提升和工藝的改善，我們有信心控制在0.1%以內(nèi)，無論是從電池的效率還是這樣一個(gè)穩(wěn)定性上面，無論是高效多晶和鑫單晶，目前在協(xié)鑫集成都取得了一些比較好、比較穩(wěn)定的一些結(jié)果。

總結(jié)一下，多晶黑硅PERC目前量產(chǎn)平均效率達(dá)到21%，對應(yīng)60片組件功率超過300W+，鑫單晶PERC目前量產(chǎn)平均效率達(dá)到21.8%，對應(yīng)72片組件功率370W+。2019年目標(biāo)，多晶黑硅PERC量產(chǎn)平均效率目標(biāo)是21.5%，鑫單晶PERC量產(chǎn)平均效率可達(dá)到22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，鑫單晶需進(jìn)一步優(yōu)化。