国产男男激情videosgay,无码AV网站,9l国产自偷一区二区三区老熟女 ,欧美a在

　　為了降低光伏電池的發(fā)電成本，可采取的有效途徑之一就是研發(fā)和應(yīng)用砷化鎵薄膜電池聚光發(fā)電系統(tǒng)。在獲得同樣輸出功率情況下，可以大大減少所需的砷化鉀薄膜電池面積。相當(dāng)于用比較便宜的普通金屬、玻璃材料做成聚光器和支撐系統(tǒng)，來(lái)代替部分昂貴的砷化鎵薄膜電池。在這種聚光系統(tǒng)中，如果聚光率超過(guò)10倍以上，則系統(tǒng)只能利用直射陽(yáng)光，因而必須采用跟蹤系統(tǒng)相互配合，才能充分發(fā)揮效能。在固定溫度下，光伏電池效率隨聚光率變化的一般趨勢(shì)是，在低聚光率時(shí)，電池效率隨聚光率的增加而增加，在高聚光率時(shí)，則隨聚光率的增加而降低。光伏電池在高聚光大電流下，其工作溫度的升高將導(dǎo)致效率的下降，因此，聚光跟蹤系統(tǒng)還需要配備有效的散熱設(shè)備�？紤]到系統(tǒng)的整體經(jīng)濟(jì)性，可以通過(guò)主動(dòng)制冷方式，在對(duì)光伏電池快速散熱的同時(shí)，充分利用熱能生產(chǎn)熱水，最終實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能光熱和光伏的綜合利用，以充分發(fā)揮整體效能。

　　二、砷化鎵薄膜電池聚光跟蹤發(fā)電系統(tǒng)的組成部件

　　（一）電池片

　　1. 砷化鎵（GaAs）的發(fā)展?jié)摿?/strong>

　　砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的硅材料相比，它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此，廣泛應(yīng)用于高頻及無(wú)線通訊中制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在I C產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長(zhǎng)，制作成光電元件。還可與太陽(yáng)能結(jié)合制備砷化鎵太陽(yáng)能電池。

　　作為通信、微電子以及光電子的基礎(chǔ)材料GaAs材料，世界上其晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制作技術(shù)已較成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。其中，砷化鎵在WiMAX和WLAN應(yīng)用市場(chǎng)上，將有明顯增幅，預(yù)計(jì)到2010年，市場(chǎng)需求近10億美元，增長(zhǎng)23%。在砷化鎵太陽(yáng)能電池上，也有部分要量產(chǎn)的企業(yè)。在砷化鎵微波元件需求上，可望再倍增，用于蜂窩回程通信的GaAs芯片市場(chǎng)2007年達(dá)到了峰期。未來(lái)砷化鎵發(fā)展勢(shì)必將與Si、GaN以及SiGe一同參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

　　砷化鎵集成電路，用半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）器件構(gòu)成的集成電路。構(gòu)成GaAs集成電路的器件主要有肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)管、高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。20世紀(jì)70年代初，由于高質(zhì)量的GaAs外延材料和精細(xì)光刻工藝的突破，使GaAs集成電路的制作得到突破性進(jìn)展。同硅材料相比，GaAs材料具備載流子遷移率高、襯底半絕緣以及禁帶較寬等特征，因此用它制成的集成電路具有頻率高、速度快、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。它的缺點(diǎn)是材料缺陷較多，集成規(guī)模受到限制，成本較高。GaAs集成電路可分為模擬集成電路如單片微波集成電路和數(shù)字集成電路兩類。前者主要用于雷達(dá)、衛(wèi)星電視廣播、微波及毫米波通信等領(lǐng)域，后者主要用于超高速計(jì)算機(jī)及光纖通信等系統(tǒng)。

　　2. GaAs電池片技術(shù)特點(diǎn)