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　　從QE曲線中可以看出本征層的插入增加了對(duì)短波段光的吸收，使得短波段光譜響應(yīng)相比不加入本征層的減弱了，短路電流密度J。略有降低，但是它通過(guò)在界面處降低了異質(zhì)結(jié)的表面復(fù)合速率來(lái)提高電池的填充因子FF和開(kāi)路電壓K，因此異質(zhì)結(jié)界面處插入一定厚度的i-a-Si：H能有效提高HIT太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

　　3．2背電場(chǎng)對(duì)HIT太陽(yáng)電池性能的影響

　　背場(chǎng)是用來(lái)提高太陽(yáng)電池效率的有效手段，背場(chǎng)即在電池的背面接觸區(qū)引入同型重?fù)诫s區(qū)，指的是可對(duì)光生少子產(chǎn)生勢(shì)壘效果的區(qū)域，從而減少光生少子在背表面的復(fù)合。

　　圖6所示為有、無(wú)背場(chǎng)的HIT太陽(yáng)電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線。從圖中可以看出背場(chǎng)能有效增加電池的長(zhǎng)波段響應(yīng)，加入背場(chǎng)的電池在背面有很低復(fù)合速率，將能增強(qiáng)低光子能量處的光譜響應(yīng)，因此短路電流密度將增加。由于短路電流增加，背面接觸的二極管復(fù)合電流減少，從而開(kāi)路電壓增加，能有效提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

有、無(wú)背場(chǎng)的HIT太陽(yáng)電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線

　　3．3優(yōu)化后的HIT太陽(yáng)電池

　　在上述研究的基礎(chǔ)上，對(duì)單面HIT太陽(yáng)電池各沉積參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，得到了開(kāi)壓為596mV、短路電流密度為41．605mA／cm2、填充因子為0．676、效率為16．75％的HIT電池，其卜V特性曲線如圖7所示，測(cè)試在模擬光源AMl．5，25℃下進(jìn)行。

優(yōu)化后的HIT太陽(yáng)電池

　　4小結(jié)

　　本文通過(guò)研究不同硅表面鈍化方法，分析測(cè)試HIT太陽(yáng)電池制備過(guò)程中硅片表面的一些鈍化技術(shù)對(duì)少數(shù)載流子壽命以及對(duì)電池性能的影響，發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)腍F溶液預(yù)處理、20s的襯底H處理和插入約3nm的本征非晶硅層能有效提高硅片的少子壽命，通過(guò)飽和硅片表面的懸掛鍵，可以降低少數(shù)載流子在表面的復(fù)合，從而得到較好的表面鈍化效果。研究了在硅襯底背面制作背場(chǎng)后電池的光照特性，發(fā)現(xiàn)在硅片背面引入重?fù)诫s背場(chǎng)提高了電池的長(zhǎng)波段光譜響應(yīng)和開(kāi)路電壓。對(duì)電池的各制備工藝進(jìn)行綜合優(yōu)化，研制出了效率為16．75％（AMl．5，25℃）的HIT太陽(yáng)電池。

　　原作者： 柳琴， 葉曉軍等