晶體硅生產(chǎn)一般工藝流程【圖】
等離子體刻蝕原理：
等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發(fā)性生成物而被去除。它的優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 。
1.母體分子CF4在高能量的電子的碰撞作用下分解成多種中性基團或離子。
2.其次，這些活性粒子由于擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，并在表面上發(fā)生化學反應。
3.生產(chǎn)過程中，CF4中摻入O2，這樣有利于提高Si和SiO2的刻蝕速率。
刻蝕影響因素：刻蝕時間和射頻功率
硅片作為晶體硅太陽能電池的基礎材料，其質量對電池性能有很重要影響，下面以單晶硅片舉例說明：
一、少子壽命對電池性能的影響
少子壽命是指半導體材料在外界注入(光或電)停止后，少數(shù)載流子從最大值衰減到無注入時的初值之間的平均時間。少子壽命值越大，相應的材料質量越好
二、早期光致衰減對電池性能的影響
1.早期光致衰減機理
光照或電流注入導致硅片中的硼和氧形成硼氧復合體，從而使少子壽命降低，但經(jīng)過退火處理，少子壽命又可恢復
2.危害
一方面會引起組件功率在使用的最初幾天內發(fā)生較大幅度的下降，使標稱功率和實際功率不符
另一方面，如果同一組件內各個電池片光致衰減不一致，會造成原本分選時電性能一致的電池片，經(jīng)過光照后，電性能存在很大偏差，引起組件曲線異常和熱斑現(xiàn)象，導致組件早期失效
熱斑電池的溫度與周電池的溫度相差較大，過熱區(qū)域可引起EVA加快老化變黃，使該區(qū)域透光率下降，從而使熱斑進一步惡化，導致組件的早期失效。
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